tpioducti, 20 stern ave. springfield, new jersey 07081 u.s.a. telephone: (973) 376-2922 (212) 227-6005 fax: (973) 378-8960 doubles transistors pnp silicium planar epitaxiaux dual pnp silicon transistors epitaxial planar *2n 3347 *2n 3348 *2n 3349 amplification differentielle faibla bruit low noise differential amplification ? transistors compl6mentaires aux 2n 2639 a 2n 2641 complementary tnnsistors of 2n 2639 at 2n 2641 dissipation da puissance maximale mafimum ppurtr lombcc) (i) (2) 50 100 150 200 leas,(c) (3) ml vceo 'c ti2ie(10 /^a! h21e1 h21e2 -45 v -30 ma 40 300 ( 0,9 min. 2n 3347 j 0,8 min. 2n 3348 ( 0.6 min. 2n 3349 boitier f 100 cut ?d valeurs limites absolues d'utilisation a tarnb=25c . . aisotuti ritingt i 'limiting nluis) ( sauf indications contrairas) ' lun/tsi mhtruitf sftdliid) futomn t^fmjmt&f tension collecteur-base coffector-bttt voltigf tension collecteur-imetteur cohtctar-tmitttf volttft tension emetteur-bau emittmr-bmst vottagt courant collecteui collector current t a.e 1 ?l?ment (1) dissipation deouissance ?rnb 24l*n?nu(2) fowir datipition n 1 4l?ment (3)" 'e?? ?" *- 2 4l*i7?nt? 14) temperature dejonction junction t?mp?r*turt temperature de stockage min ? storage ttm-pertture max. vcbo vceo vebo 'c ptot li '?9 -60 -45 -8 -30 0,3. r~ 0,6 s,6 1.3t 175 - 65 +200 ? ' . '' >: v v v ma w c <>c \ s?mi-4. i indiwion reftntu irw fig/h hi thongi lot condiliom, punmrttr limits iind pacfcug* jimcmhim vvilhoiil nolic* lnfinmulk)n i'omiilwd by ni stmi-cunjutjutl ij mkv?d to h? holb ukium nml rdiabk ,il in lirn* ?f going to press. him?*cr icmi 11'iijiitiiirt imiiiikh ih> ropt'iuibiliry fiw :inj ?n'm or tuntahiih jittuvurtd in ih use m semi-*, in.hn.li? ci ? ii ? n nrrs l? miilt 'h.ii l:il;v,kcii ire tiim;nrh 2n 3347 * 2n 3348* 2n 3349* caracteristiques igenerales a tamb = 25c general characteristics (sauf indications conuaires) i unless othtrwist spacititd) caracteristiques d'appariement matching chincterislics pw raitat ftfimir transfer! direct du courant tension differentielle base-emetteur urn tt?t i/o tags / ftmna coefficient de temijerauire de la tension diffgrentielle base4metteur 8sse*emitter voltage differentia/ temperature gradient condition* 4* pmiurt tftl nwftmra lc = -10 ma v^i- - 5v vce v vce ' 5v tc = -10 pa vce=-5v -55"c?tamb<25-c )c _ -10 ^a vce = -5v 25c2N3347 2n334s 2n 3349 2n 3347 2n3348 2n 3349 h21e1 h21e2 (note 1) |vbe1-vbe2 ^bei-vbhi '"amb nkr. 0,9 0.8 0.6 typ. tff. m?. ?v. 1 1 1 5 10 20 0,8 1,6 3,2 1 2 4 mv i note 1 :^21e1 est te p'us pet't des cjeux h21e r/}? towett h- ? reading is taken as hyjej caracteristiques statiques pour chaque transistor elementaire static characteristics far tick tlimtnttrf transistor courant residue! collecteur-base colltctof-bat* cut-off currant courant residue) 6metteur-base ernittaf-bate cut-off current tension de claquage collecteur-base collactor-basa breakdown voltage tension de claquage collecteur-6metteur coflector-etnitter braakdown voltage ie = o vcb - ~45v ie = o vcb ? -45v '?nb-'so'c 'c = veb = -6v ie = o lc = -10/ia 'b - lc = -10ma 'cbo 'ebo v(bh)cbo v(br)ceo -60 -45 -10 -10 -2 na ha na v v
* 2im 3347 * 2n3348 * 2n 3349 caracteristiques generates a tamb = 25 c general characteristics caractaristiques statiques pour chaque transistor elementaire static clnrictirittin tot itth ilimutiry trimittor tension de claquage 6metteur-base emitter-bate breakdown voltage valeur statique du rapport du transfer! direct du courant static forward current transfer ratio tension base-emetteur bale-emitter voltage tension de saturation collecteur-emetteur collector-emitter saturation voltage illis^ ic = o ie ? -10ma lc = -lofja vce - -5 v lc - -1 ma vce = -sv lc = -10ma lc - -10ma ib = -0,5 ma vibriebo h21e vbe vcesat - me. -6 40 60 ?'* mu. mtl 300 -0.9 -0,b v v v caracteristiques dynamiques pour chaque transistor elementaire (pour petit* dynamic characteristics for aactl tltmtnttry transistor (for small sioiul*/ rapport de transfert direct du courant forward current transfer ratio impedance d'entree input impedance admittance de sortie output admittance frequence de transition trantitlon frequency capacity de sortie output capacitance capacite d'entree input capacitance facteur de bruit nolta flgurt f = 1 khz iq = ?1 ma vce ? -5 v f = 1 khz iq = -1 ma vce = -sv f = 1 khz lc = _i rna vce = ~b v ig = -1 ma vce = -sv f = 30 mhz vcb = -? v 'e = f = 1 mhz veb = -0,5v 'c = f = 1 mhz lc = -10 ^a vce = -5v rq = 10k2 b = 15,7 khz h21e h11e h22e ft c22b c11b f 60 1,5 60 600 20 100 6 s 4 kn ms mhz pf pf db
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